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Synchronous Dynamic Random Access Memory ( リダイレクト:SDRAM ) : ウィキペディア日本語版
SDRAM
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) は、システムバスに同期して動作するDRAM (Dynamic Random Access Memory)。シンクロナスDRAMとも。初期のDRAMのインタフェースは非同期式であり、制御入力の変化に反応して可能な限り素早く応答するようになっていた。SDRAMのインタフェースは同期式であり、制御入力に応答する前にクロック信号を待つため、コンピュータのシステムバスに同期して動作する。クロックは入ってくる命令をパイプライン化する内部の有限状態機械を駆動するのに使われる。そのためSDRAMのチップは非同期DRAMよりも複雑な操作パターンを持つことができ、より高速に動作できる。
パイプライン化とはこの場合、SDRAMのチップが前の命令の処理を完了する前に新たな命令を受け付けられることを意味する。パイプライン化された書き込みでは、書き込み命令のすぐ後に書き込むべきデータがメモリアレイに到着する前でも次の命令を受け付けられる。パイプライン化された読み出しでは、要求したデータは読み出し命令からある固定数のクロックパルスが経過した後に出力され、その間のサイクルの間に別の命令を送ることができる。読み出し命令からデータが出力されるまでの遅延を「レイテンシ」と呼び、SDRAMを選択する際の重要な観点となっている。
SDRAMはコンピュータで広く使われている。元々のSDRAMだけでなく、そこから発展した世代であるDDR (DDR1)、DDR2、DDR3、DDR4 が量産されている。
== 歴史 ==

SDRAMのコンセプトは1970年代には既に知られており、インテルの初期のプロセッサでも使われていたが、広く使われるようになったのは1993年以降のことである。1993年、サムスン電子がSDRAMチップ KM48SL2000 を導入。性能がよいため、コンピュータの主記憶として使われるDRAMは2000年までにほぼ全てがSDRAMとなった。
SDRAMのレイテンシは元々非同期型のDRAMに比べて無視できるものではなかった。実際初期のSDRAMは内部ロジックが複雑だったため、同時期の burst EDO RAM に比べて性能が低かった。SDRAM内部でのバッファリングはメモリの複数バンクへの操作をインターリーブできることに由来し、それによって実質的な帯域幅を向上させている。
今では事実上全てのSDRAMが、電子部品の相互運用を促進するためにオープン標準の採用を進める電子業界団体JEDECの規格に準拠して生産されている。JEDECは1993年に最初のSDRAMの規格を定め、その後も DDRDDR2DDR3 SDRAM といったSDRAMの規格を定めてきた。
SDRAMにはレジスタ付きの派生品もあり、サーバワークステーションなどよりよいスケーラビリティを要求するシステムで使われる。
2011年現在、パーソナルコンピュータの主記憶に単なるSDRAMが使われることはなく、DDR2 SDRAMDDR3 SDRAM が主流である。
SDRAMの主なメーカーとしては、サムスン電子ハイニックス半導体エルピーダメモリマイクロン・テクノロジなどがある。

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「SDRAM」の詳細全文を読む

英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Synchronous dynamic random-access memory 」があります。




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